Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli 2SC3649T-TD-E

ON Semiconductor 2SC3649T-TD-E

Numero di parte
2SC3649T-TD-E
fabbricante
ON Semiconductor
Descrizione
TRANS NPN 160V 1.5A SOT89-3
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli
ON Semiconductor

ON Semiconductor

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Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte 2SC3649T-TD-E
Stato parte Active
Transistor Type NPN
Corrente - Collector (Ic) (Max) 1.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 160V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 450mV @ 50mA, 500mA
Corrente - Limite del collettore (max) 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 100mA, 5V
Potenza - Max 500mW
Frequenza - Transizione 120MHz
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso TO-243AA
Pacchetto dispositivo fornitore PCP
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