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| Numero di parte | 2N7002WT1G |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 310mA (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.7nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 24.5pF @ 20V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 280mW (Tj) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.6 Ohm @ 500mA, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SC-70-3 (SOT323) |
| Pacchetto / caso | SC-70, SOT-323 |
fabbricante: ON Semiconductor
Descrizione: MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92
Disponibile: 0
fabbricante: ON Semiconductor
Descrizione: MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92
Disponibile: 0
fabbricante: ON Semiconductor
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Disponibile: 0
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