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| Numero di parte | 2N6517G |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Transistor Type | NPN |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 350V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 5mA, 50mA |
| Corrente - Limite del collettore (max) | 50nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 50mA, 10V |
| Potenza - Max | 625mW |
| Frequenza - Transizione | 200MHz |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92-3 |
fabbricante: ON Semiconductor
Descrizione: THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92
Disponibile: 0
fabbricante: ON Semiconductor
Descrizione: THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92
Disponibile: 0
fabbricante: ON Semiconductor
Descrizione: THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92
Disponibile: 0
fabbricante: ON Semiconductor
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Disponibile: 0
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