Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli 2N6052G

ON Semiconductor 2N6052G

Numero di parte
2N6052G
fabbricante
ON Semiconductor
Descrizione
TRANS PNP DARL 100V 12A TO3
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli
ON Semiconductor

ON Semiconductor

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In stock 472 pz

  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)

  • 1 pcs

    2.18000/pcs

  • 10 pcs

    1.95650/pcs

  • 100 pcs

    1.60320/pcs

  • 500 pcs

    1.36477/pcs

  • 1,000 pcs

    1.15101/pcs
Totale:2.18000/pcsUnit Price:
2.18000/pcs		Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte2N6052G
Stato parteActive
Transistor TypePNP - Darlington
Corrente - Collector (Ic) (Max)12A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic3V @ 120mA, 12A
Corrente - Limite del collettore (max)1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce750 @ 6A, 3V
Potenza - Max150W
Frequenza - Transizione-
temperatura di esercizio-65°C ~ 200°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / casoTO-204AA, TO-3
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-3
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