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| Numero di parte | PMV31XN,215 |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 5.9A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.5V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.8nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 410pF @ 20V |
| Vgs (massimo) | ±12V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 280mW (Tj) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 37 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-236AB (SOT23) |
| Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
fabbricante: Nexperia USA Inc.
Descrizione: MOSFET P-CH 20V TO-236AB
Disponibile: 0
fabbricante: Nexperia USA Inc.
Descrizione: MOSFET P-CH 20V 4A SOT-23
Disponibile: 0
fabbricante: Nexperia USA Inc.
Descrizione: MOSFET P-CH 20V 4.4A TO-236AB
Disponibile: 9000
