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| Numero di parte | PMR290UNE,115 |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 700mA (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.8V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 950mV @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.68nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 83pF @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±8V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 250mW (Ta), 770mW (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380 mOhm @ 500mA, 4.5V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SC-75 |
| Pacchetto / caso | SC-75, SOT-416 |
fabbricante: NXP USA Inc.
Descrizione: MOSFET N-CH 20V 700MA SC-75
Disponibile: 0
fabbricante: NXP USA Inc.
Descrizione: MOSFET N-CH 20V 0.97A SOT416
Disponibile: 0
