Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli, pre-polarizzati PBRN113ES,126

NXP USA Inc. PBRN113ES,126

Numero di parte
PBRN113ES,126
fabbricante
NXP USA Inc.
Descrizione
TRANS PREBIAS NPN 0.7W TO92-3
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli, pre-polarizzati
NXP Semiconductors

NXP Semiconductors

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Numero di parte PBRN113ES,126
Stato parte Obsolete
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Corrente - Collector (Ic) (Max) 800mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 40V
Resistore - Base (R1) (Ohm) 1k
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohm) 1k
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 180 @ 300mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.15V @ 8mA, 800mA
Corrente - Limite del collettore (max) 500nA
Frequenza - Transizione -
Potenza - Max 700mW
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto / caso TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Pacchetto dispositivo fornitore TO-92-3
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