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| Numero di parte | BUK9Y7R8-80E,115 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Vgs (massimo) | - |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| temperatura di esercizio | - |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | LFPAK56, Power-SO8 |
| Pacchetto / caso | SC-100, SOT-669 |
fabbricante: Nexperia USA Inc.
Descrizione: MOSFET N-CH 80V LFPAK
Disponibile: 0
fabbricante: Nexperia USA Inc.
Descrizione: MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK
Disponibile: 1500
fabbricante: Nexperia USA Inc.
Descrizione: MOSFET N-CH 40V LFPAK
Disponibile: 0
