Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - Bipolari (BJT) - RF BLT50,115

NXP USA Inc. BLT50,115

Numero di parte
BLT50,115
fabbricante
NXP USA Inc.
Descrizione
TRANS NPN UHF 7.5V SOT223
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - Bipolari (BJT) - RF
NXP Semiconductors

NXP Semiconductors

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Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte BLT50,115
Stato parte Active
Transistor Type NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 10V
Frequenza - Transizione 470MHz
Figura del rumore (dB Typ @ f) -
Guadagno -
Potenza - Max 2W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 25 @ 300mA, 5V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 500mA
temperatura di esercizio 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso TO-261-4, TO-261AA
Pacchetto dispositivo fornitore SOT-223
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