Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - Bipolari (BJT) - RF BFU660F,115

NXP USA Inc. BFU660F,115

Numero di parte
BFU660F,115
fabbricante
NXP USA Inc.
Descrizione
TRANSISTOR NPN SOT343F-4
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - Bipolari (BJT) - RF
NXP Semiconductors

NXP Semiconductors

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In stock 9010 pz
  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)
  • 1 pcs

    0.24000/pcs
  • 10 pcs

    0.20600/pcs
  • 100 pcs

    0.15370/pcs
  • 500 pcs

    0.12076/pcs
  • 1,000 pcs

    0.09331/pcs
Totale:0.24000/pcs Unit Price:
0.24000/pcs
Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte BFU660F,115
Stato parte Active
Transistor Type NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 5.5V
Frequenza - Transizione 21GHz
Figura del rumore (dB Typ @ f) 0.6dB ~ 1.2dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz
Guadagno 12dB ~ 21dB
Potenza - Max 225mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 90 @ 10mA, 2V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 60mA
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso SOT-343F
Pacchetto dispositivo fornitore 4-DFP
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