Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - Bipolari (BJT) - Array BC847QASX

NXP USA Inc. BC847QASX

Numero di parte
BC847QASX
fabbricante
NXP USA Inc.
Descrizione
TRANS NPN/PNP 45V 0.1A 6DFN
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - Bipolari (BJT) - Array
NXP Semiconductors

NXP Semiconductors

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Numero di parte BC847QASX
Stato parte Active
Transistor Type NPN, PNP Complementary
Corrente - Collector (Ic) (Max) 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 100mV @ 500µA, 10mA
Corrente - Limite del collettore (max) 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 2mA, 5V
Potenza - Max 230mW
Frequenza - Transizione 100MHz
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 10-XFDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore DFN1010B-6
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