Nexperia USA Inc. PSMN8R5-100ESFQ

Numero di parte: PSMN8R5-100ESFQ
fabbricante: Nexperia USA Inc.
Descrizione: MOSFET N-CH 100V 97A I2PAK
Stato senza piombo / Stato RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Famiglia: Transistor - FET, MOSFET - Singoli

Nexperia

nexperia is a dedicated global leader in small signal discretes, logic and powermos devices. originally part of philips and more recently nxp, this new company became independent at the beginning of 2017.

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Numero di parte	PSMN8R5-100ESFQ
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	97A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	7V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	44.5nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	3181pF @ 50V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	183W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.8 mOhm @ 25A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	I2PAK
Pacchetto / caso	TO-220-3, Short Tab