Nexperia USA Inc. PSMN4R3-80ES,127

Numero di parte: PSMN4R3-80ES,127
fabbricante: Nexperia USA Inc.
Descrizione: MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK
Stato senza piombo / Stato RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Famiglia: Transistor - FET, MOSFET - Singoli

Nexperia

nexperia is a dedicated global leader in small signal discretes, logic and powermos devices. originally part of philips and more recently nxp, this new company became independent at the beginning of 2017.

In stock 1237 pz

Prezzo di riferimento
(In dollari USA)
1 pcs
1.58000/pcs
10 pcs
1.49850/pcs
100 pcs
1.20395/pcs
500 pcs
0.93642/pcs
1,000 pcs
0.77589/pcs

Totale:1.58000/pcs

Unit Price:

1.58000/pcs

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Quantità:

Parametro del prodotto

Numero di parte	PSMN4R3-80ES,127
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	80V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	120A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	111nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	8161pF @ 40V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	306W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.3 mOhm @ 25A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	I2PAK
Pacchetto / caso	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA