Nexperia USA Inc. PSMN1R0-25YLDX

Numero di parte: PSMN1R0-25YLDX
fabbricante: Nexperia USA Inc.
Descrizione: PSMN1R0-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q1
Stato senza piombo / Stato RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Famiglia: Transistor - FET, MOSFET - Singoli

Nexperia

nexperia is a dedicated global leader in small signal discretes, logic and powermos devices. originally part of philips and more recently nxp, this new company became independent at the beginning of 2017.

In stock 3750 pz

Prezzo di riferimento
(In dollari USA)
1 pcs
0.30384/pcs
1,500 pcs
0.30384/pcs

Totale:0.30384/pcs

Unit Price:

0.30384/pcs

Etichetta del prezzo:

Quantità:

Parametro del prodotto

Numero di parte	PSMN1R0-25YLDX
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	25V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	100A
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	71.8nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	5308pF @ 12V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	Schottky Diode (Body)
Dissipazione di potenza (max)	160W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	0.89 mOhm @ 25A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	LFPAK56, Power-SO8
Pacchetto / caso	SC-100, SOT-669