Nexperia USA Inc. PMZ200UNEYL

Numero di parte: PMZ200UNEYL
fabbricante: Nexperia USA Inc.
Descrizione: MOSFET N-CH 30V SOT883
Stato senza piombo / Stato RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Famiglia: Transistor - FET, MOSFET - Singoli

Nexperia

nexperia is a dedicated global leader in small signal discretes, logic and powermos devices. originally part of philips and more recently nxp, this new company became independent at the beginning of 2017.

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Numero di parte	PMZ200UNEYL
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	1.4A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	1.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	950mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	2.7nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	89pF @ 15V
Vgs (massimo)	±8V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	250 mOhm @ 1.4A, 4.5V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	DFN1006-3
Pacchetto / caso	SC-101, SOT-883