Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Array PMDXB600UNELZ

Nexperia USA Inc. PMDXB600UNELZ

Numero di parte
PMDXB600UNELZ
fabbricante
Nexperia USA Inc.
Descrizione
20 V, DUAL N-CHANNEL TRENCH MOSF
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Array
Nexperia

Nexperia

nexperia is a dedicated global leader in small signal discretes, logic and powermos devices. originally part of philips and more recently nxp, this new company became independent at the beginning of 2017.

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Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte PMDXB600UNELZ
Stato parte Active
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 600mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 620 mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 950mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.7nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 21.3pF @ 10V
Potenza - Max 380mW
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 6-XFDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore DFN1010B-6
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