Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Array PHN210T,118

Nexperia USA Inc. PHN210T,118

Numero di parte
PHN210T,118
fabbricante
Nexperia USA Inc.
Descrizione
MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Array
Nexperia

Nexperia

nexperia is a dedicated global leader in small signal discretes, logic and powermos devices. originally part of philips and more recently nxp, this new company became independent at the beginning of 2017.

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Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte PHN210T,118
Stato parte Active
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100 mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.8V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 250pF @ 20V
Potenza - Max 2W
temperatura di esercizio -65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO
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