nexperia is a dedicated global leader in small signal discretes, logic and powermos devices. originally part of philips and more recently nxp, this new company became independent at the beginning of 2017.
| Numero di parte | PHB191NQ06LT,118 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 75A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 95.6nC @ 5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 7665pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±15V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.7 mOhm @ 25A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK |
| Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
fabbricante: Nexperia USA Inc.
Descrizione: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Disponibile: 5600
