Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli, pre-polarizzati PDTD113ZT,215

Nexperia USA Inc. PDTD113ZT,215

Numero di parte
PDTD113ZT,215
fabbricante
Nexperia USA Inc.
Descrizione
TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli, pre-polarizzati
Nexperia

Nexperia

nexperia is a dedicated global leader in small signal discretes, logic and powermos devices. originally part of philips and more recently nxp, this new company became independent at the beginning of 2017.

In stock 15000 pz
  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)
  • 1 pcs

    0.03150/pcs
  • 3,000 pcs

    0.03150/pcs
  • 6,000 pcs

    0.02835/pcs
  • 15,000 pcs

    0.02520/pcs
  • 30,000 pcs

    0.02363/pcs
  • 75,000 pcs

    0.02100/pcs
Totale:0.03150/pcs Unit Price:
0.03150/pcs
Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte PDTD113ZT,215
Stato parte Active
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Corrente - Collector (Ic) (Max) 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Resistore - Base (R1) (Ohm) 1k
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohm) 10k
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 50mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA
Corrente - Limite del collettore (max) 500nA
Frequenza - Transizione -
Potenza - Max 250mW
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitore TO-236AB (SOT23)
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