Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - Bipolari (BJT) - Array PBSS4350SSJ

Nexperia USA Inc. PBSS4350SSJ

Numero di parte
PBSS4350SSJ
fabbricante
Nexperia USA Inc.
Descrizione
TRANS 2NPN 50V 2.7A 8SOIC
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - Bipolari (BJT) - Array
Nexperia

Nexperia

nexperia is a dedicated global leader in small signal discretes, logic and powermos devices. originally part of philips and more recently nxp, this new company became independent at the beginning of 2017.

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Numero di parte PBSS4350SSJ
Stato parte Discontinued at Digi-Key
Transistor Type 2 NPN (Dual)
Corrente - Collector (Ic) (Max) 2.7A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 340mV @ 270mA, 2.7A
Corrente - Limite del collettore (max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 300 @ 1A, 2V
Potenza - Max 750mW
Frequenza - Transizione -
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO
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