Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli PBSS4130QAZ

Nexperia USA Inc. PBSS4130QAZ

Numero di parte
PBSS4130QAZ
fabbricante
Nexperia USA Inc.
Descrizione
TRANS NPN 30V 1A DFN1010D-3
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli
Nexperia

Nexperia

nexperia is a dedicated global leader in small signal discretes, logic and powermos devices. originally part of philips and more recently nxp, this new company became independent at the beginning of 2017.

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0.05132/pcs
Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte PBSS4130QAZ
Stato parte Active
Transistor Type NPN
Corrente - Collector (Ic) (Max) 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 235mV @ 100mA, 1A
Corrente - Limite del collettore (max) 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 230 @ 500mA, 2V
Potenza - Max 1W
Frequenza - Transizione 190MHz
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 3-XDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore DFN1010D-3
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