Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Singoli BSS138P,215

Nexperia USA Inc. BSS138P,215

Numero di parte
BSS138P,215
fabbricante
Nexperia USA Inc.
Descrizione
MOSFET N-CH 60V 360MA TO-236AB
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Nexperia

Nexperia

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Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte BSS138P,215
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 360mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.8nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 350mW (Ta), 1.14W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.6 Ohm @ 300mA, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TA)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore TO-236AB (SOT23)
Pacchetto / caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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