provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.
| Numero di parte | UFS360J/TR13 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo diodo | Standard |
| Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
| Corrente - Rettificato medio (Io) | 3A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 3A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 60ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 600V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | DO-214AB, SMC |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AB |
| Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: DIODE GEN PURP 50V 3A DO215AB
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: DIODE GEN PURP 100V 3A DO215AB
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: DIODE GEN PURP 150V 3A DO215AB
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AB
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: DIODE GEN PURP 50V 3A DO215AB
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: DIODE GEN PURP 100V 3A DO215AB
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: DIODE GEN PURP 150V 3A DO215AB
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AB
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
Disponibile: 0
