Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - Bipolari (BJT) - RF MS3022

Microsemi Corporation MS3022

Numero di parte
MS3022
fabbricante
Microsemi Corporation
Descrizione
TRANS RF BIPO 7W 200MA M210
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - Bipolari (BJT) - RF
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.

In stock 228 pz
  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)
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58.14800/pcs
Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte MS3022
Stato parte Active
Transistor Type NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 45V
Frequenza - Transizione 1GHz ~ 2GHz
Figura del rumore (dB Typ @ f) -
Guadagno 7dB
Potenza - Max 7W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 15 @ 100mA, 5V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 200mA
temperatura di esercizio 200°C (TJ)
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto / caso M210
Pacchetto dispositivo fornitore M210
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