Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - Bipolari (BJT) - RF MS2322

Microsemi Corporation MS2322

Numero di parte
MS2322
fabbricante
Microsemi Corporation
Descrizione
TRANS RF BIPO 87.5W 1.5A M115
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - Bipolari (BJT) - RF
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.

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Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parteMS2322
Stato parteActive
Transistor TypeNPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)65V
Frequenza - Transizione1.025GHz ~ 1.15GHz
Figura del rumore (dB Typ @ f)-
Guadagno10dB
Potenza - Max87.5W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce10 @ 100mA, 5V
Corrente - Collector (Ic) (Max)1.5A
temperatura di esercizio-
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / casoM115
Pacchetto dispositivo fornitoreM115
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