Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - Bipolari (BJT) - RF MS2214

Microsemi Corporation MS2214

Numero di parte
MS2214
fabbricante
Microsemi Corporation
Descrizione
TRANS BIPO NPN 300W 8A M218
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - Bipolari (BJT) - RF
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

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Parametro del prodotto
Numero di parteMS2214
Stato parteObsolete
Transistor TypeNPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)55V
Frequenza - Transizione960MHz ~ 1.215GHz
Figura del rumore (dB Typ @ f)-
Guadagno7.5dB
Potenza - Max300W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce20 @ 2A, 5V
Corrente - Collector (Ic) (Max)8A
temperatura di esercizio250°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / casoM218
Pacchetto dispositivo fornitoreM218
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