Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - Bipolari (BJT) - RF MS2212

Microsemi Corporation MS2212

Numero di parte
MS2212
fabbricante
Microsemi Corporation
Descrizione
TRANS RF BIPO 50W 1.8A M222
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - Bipolari (BJT) - RF
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.

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Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parteMS2212
Stato parteActive
Transistor TypeNPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)55V
Frequenza - Transizione960MHz ~ 1.215GHz
Figura del rumore (dB Typ @ f)-
Guadagno8.1dB ~ 8.9dB
Potenza - Max50W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce15 @ 500mA, 5V
Corrente - Collector (Ic) (Max)1.8A
temperatura di esercizio250°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / casoM222
Pacchetto dispositivo fornitoreM222
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