Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - Bipolari (BJT) - RF MS1337

Microsemi Corporation MS1337

Numero di parte
MS1337
fabbricante
Microsemi Corporation
Descrizione
TRANS RF BIPO 70W 8AM113
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - Bipolari (BJT) - RF
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.

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Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parteMS1337
Stato parteObsolete
Transistor TypeNPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)18V
Frequenza - Transizione175MHz
Figura del rumore (dB Typ @ f)-
Guadagno10dB
Potenza - Max70W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce20 @ 250mA, 5V
Corrente - Collector (Ic) (Max)8A
temperatura di esercizio200°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / casoM113
Pacchetto dispositivo fornitoreM113
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