Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - Bipolari (BJT) - RF MS1007

Microsemi Corporation MS1007

Numero di parte
MS1007
fabbricante
Microsemi Corporation
Descrizione
TRANS RF BIPO 233W 10A M174
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - Bipolari (BJT) - RF
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

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Parametro del prodotto
Numero di parteMS1007
Stato parteObsolete
Transistor TypeNPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)55V
Frequenza - Transizione30MHz
Figura del rumore (dB Typ @ f)-
Guadagno14dB
Potenza - Max233W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce18 @ 1.4A, 6V
Corrente - Collector (Ic) (Max)10A
temperatura di esercizio200°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / casoM174
Pacchetto dispositivo fornitoreM174
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