Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - Bipolari (BJT) - RF MS1001

Microsemi Corporation MS1001

Numero di parte
MS1001
fabbricante
Microsemi Corporation
Descrizione
TRANS RF BIPO 270W 20A M174
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - Bipolari (BJT) - RF
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.

In stock 279 pz

  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)

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  • 50 pcs

    45.50830/pcs
Totale:45.50830/pcsUnit Price:
45.50830/pcs		Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parteMS1001
Stato parteActive
Transistor TypeNPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)18V
Frequenza - Transizione30MHz
Figura del rumore (dB Typ @ f)-
Guadagno13dB
Potenza - Max270W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce20 @ 5A, 5V
Corrente - Collector (Ic) (Max)20A
temperatura di esercizio200°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / casoM174
Pacchetto dispositivo fornitoreM174
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