Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - Bipolari (BJT) - RF MRF581G

Microsemi Corporation MRF581G

Numero di parte
MRF581G
fabbricante
Microsemi Corporation
Descrizione
TRANS NPN 18V 200MA MACRO X
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - Bipolari (BJT) - RF
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

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Numero di parteMRF581G
Stato parteObsolete
Transistor TypeNPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)18V
Frequenza - Transizione5GHz
Figura del rumore (dB Typ @ f)3dB ~ 3.5dB @ 500MHz
Guadagno13dB ~ 15.5dB
Potenza - Max1.25W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce50 @ 50mA, 5V
Corrente - Collector (Ic) (Max)200mA
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / casoMicro-X ceramic (84C)
Pacchetto dispositivo fornitoreMicro-X ceramic (84C)
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