Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - Bipolari (BJT) - RF MRF5812R2

Microsemi Corporation MRF5812R2

Numero di parte
MRF5812R2
fabbricante
Microsemi Corporation
Descrizione
RF TRANS NPN 18V 200MA 8SOIC
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - Bipolari (BJT) - RF
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

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In stock 17533 pz
  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)
  • 1 pcs

    0.72114/pcs
  • 2,500 pcs

    0.72114/pcs
Totale:0.72114/pcsUnit Price:
0.72114/pcs
Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parteMRF5812R2
Stato parteActive
Transistor TypeNPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)18V
Frequenza - Transizione5GHz
Figura del rumore (dB Typ @ f)2dB @ 500MHz
Guadagno15.5dB
Potenza - Max1.25W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce50 @ 50mA, 5V
Corrente - Collector (Ic) (Max)200mA
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / caso8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO
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