Numero di parte | JANTX1N5819-1 |
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Stato parte | Active |
Tipo diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 45V |
Corrente - Rettificato medio (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 600mV @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 45V |
Capacità @ Vr, F | 70pF @ 5V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AL, DO-41, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-204AL (DO-41) |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 125°C |
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: DIODE GEN PURP 100V 35A DO5
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: DIODE GEN PURP 200V 35A DO5
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: DIODE GEN PURP 600V 35A DO5
Disponibile: 87
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: DIODE GEN PURP 600V 35A DO5
Disponibile: 100
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
Disponibile: 39
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
Disponibile: 36
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
Disponibile: 4