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| Numero di parte | JAN2N5151 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Transistor Type | PNP |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | 2A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 500mA, 5A |
| Corrente - Limite del collettore (max) | 50µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 2.5A, 5V |
| Potenza - Max | 1W |
| Frequenza - Transizione | - |
| temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / caso | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-39 (TO-205AD) |
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
Disponibile: 0
