Numero di parte | JAN1N6074 |
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Stato parte | Active |
Tipo diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente - Rettificato medio (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2.04V @ 9.4A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 30ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | A, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | A-PAK |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 155°C |
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
Disponibile: 0