Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Array APTSM120AM25CT3AG

Microsemi Corporation APTSM120AM25CT3AG

Numero di parte
APTSM120AM25CT3AG
fabbricante
Microsemi Corporation
Descrizione
POWER MODULE - SIC
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Array
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

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134.25085/pcs		Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parteAPTSM120AM25CT3AG
Stato parteActive
Tipo FET2 N-Channel (Dual), Schottky
Caratteristica FETSilicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss)1200V (1.2kV)
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C148A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs25 mOhm @ 80A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs544nC @ 20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds10200pF @ 1000V
Potenza - Max937W
temperatura di esercizio-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / casoSP3
Pacchetto dispositivo fornitoreSP3
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