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| Numero di parte | APTML102UM09R004T3AG |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 154A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10 mOhm @ 69.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 2.5mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 9875pF @ 25V |
| Potenza - Max | 480W |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / caso | SP3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SP3 |
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET 2N-CH 1000V 20A SP3
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET N-CH 1000V 20A SP1
Disponibile: 12
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET 2N-CH 100V 154A SP3
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET N-CH 100V 154A SP1
Disponibile: 0
