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| Numero di parte | APTMC120AM55CT1AG |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Caratteristica FET | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 55A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 49 mOhm @ 40A, 20V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 2mA (Typ) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 98nC @ 20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1900pF @ 1000V |
| Potenza - Max | 250W |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / caso | SP1 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SP1 |
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET 2N-CH 1200V 250A D3
Disponibile: 10
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET 2N-CH 1200V 295A SP3F
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET 2N-CH 1200V 220A SP3F
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET 2N-CH 1200V 131A D3
Disponibile: 3
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET 2N-CH 1200V 143A SP1
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET 2N-CH 1200V 105A SP3F
Disponibile: 1
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET 2N-CH 1200V 55A SP1
Disponibile: 4
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET N-CH 1200V 20A SP3F
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET N-CH 1200V SP3F
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET 6N-CH 1200V 220A SP6P
Disponibile: 0
