Numero di parte | APTM50UM19SG |
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Stato parte | Discontinued at Digi-Key |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 163A |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 10mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 492nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 22400pF @ 25V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1136W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19 mOhm @ 81.5A, 10V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Pacchetto / caso | J3 Module |
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET 6N-CH 75V 120A SP6-P
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET 6N-CH 75V 120A SP6-P
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET 2N-CH 1000V 68A LP8W
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6
Disponibile: 4
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6
Disponibile: 46
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET 2N-CH 1000V 43A SP4
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET 2N-CH 1000V 21A SP1
Disponibile: 0