Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Array APTM20HM10FG

Microsemi Corporation APTM20HM10FG

Numero di parte
APTM20HM10FG
fabbricante
Microsemi Corporation
Descrizione
MOSFET 4N-CH 200V 175A SP6
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Array
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

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In stock 146 pz

  • Prezzo di riferimento

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    88.25195/pcs
Totale:88.25195/pcsUnit Price:
88.25195/pcs		Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parteAPTM20HM10FG
Stato parteActive
Tipo FET4 N-Channel (H-Bridge)
Caratteristica FETStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C175A
Rds On (Max) @ Id, Vgs12 mOhm @ 87.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs224nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds13700pF @ 25V
Potenza - Max694W
temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / casoSP6
Pacchetto dispositivo fornitoreSP6
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