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| Numero di parte | APTM20DUM05TG |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 333A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5 mOhm @ 166.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 8mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1184nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 40800pF @ 25V |
| Potenza - Max | 1250W |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / caso | SP4 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SP4 |
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET 2N-CH 200V 372A SP6
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET 2N-CH 200V 317A SP6
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET 2N-CH 200V 333A SP4
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET 2N-CH 200V 300A SP6
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET 2N-CH 200V 208A SP4
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET 2N-CH 200V 175A SP4
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET 2N-CH 200V 175A SP4
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET N-CH 200V 372A SP6
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET N-CH 200V 317A SP6
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET N-CH 200V 208A SP4
Disponibile: 0
