Numero di parte | APTM10TDUM19PG |
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Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | 6 N-Channel (3-Phase Bridge) |
Caratteristica FET | Standard |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 70A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21 mOhm @ 35A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 200nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5100pF @ 25V |
Potenza - Max | 208W |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | SP6 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SP6-P |
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET 2N-CH 1000V 68A LP8W
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6
Disponibile: 4
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6
Disponibile: 46
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET 2N-CH 1000V 43A SP4
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET 2N-CH 1000V 21A SP1
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET 2N-CH 1000V 19A SP1
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET 2N-CH 1000V 78A SP6
Disponibile: 0