Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - IGBT - Moduli APTGL90DDA120T3G

Microsemi Corporation APTGL90DDA120T3G

Numero di parte
APTGL90DDA120T3G
fabbricante
Microsemi Corporation
Descrizione
MOD IGBT 1200V 110A SP3
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - IGBT - Moduli
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.

In stock 536 pz

  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)

  • 1 pcs

    23.73105/pcs

  • 100 pcs

    23.73105/pcs
Totale:23.73105/pcsUnit Price:
23.73105/pcs		Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parteAPTGL90DDA120T3G
Stato parteActive
Tipo IGBTTrench Field Stop
ConfigurazioneDual Boost Chopper
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)1200V
Corrente - Collector (Ic) (Max)110A
Potenza - Max385W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.25V @ 15V, 75A
Corrente - Limite del collettore (max)250µA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce4.4nF @ 25V
IngressoStandard
Termistore NTCYes
temperatura di esercizio-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / casoSP3
Pacchetto dispositivo fornitoreSP3
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