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| Numero di parte | APT60S20SG |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo diodo | Schottky |
| Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
| Corrente - Rettificato medio (Io) | 75A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 900mV @ 60A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 55ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1mA @ 200V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | D3 [S] |
| Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET N-CH 600V 54A T-MAX
Disponibile: 4
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET N-CH 600V 39A SOT-227
Disponibile: 2
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET N-CH 600V 43A TO-264
Disponibile: 3
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET N-CH 600V 35A TO-264
Disponibile: 15
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET N-CH 600V 35A TO-264
Disponibile: 25
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: DIODE GEN PURP 1KV 60A TO247
Disponibile: 375
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: DIODE ARRAY GP 1000V 60A TO264
Disponibile: 0
