Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - IGBT - Moduli APT100GT120JR

Microsemi Corporation APT100GT120JR

Numero di parte
APT100GT120JR
fabbricante
Microsemi Corporation
Descrizione
IGBT 1200V 123A 570W SOT227
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - IGBT - Moduli
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.

In stock 623 pz

  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)

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  • 11 pcs

    21.53000/pcs
Totale:21.53000/pcsUnit Price:
21.53000/pcs		Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parteAPT100GT120JR
Stato parteActive
Tipo IGBTNPT
ConfigurazioneSingle
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)1200V
Corrente - Collector (Ic) (Max)123A
Potenza - Max570W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.7V @ 15V, 100A
Corrente - Limite del collettore (max)100µA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce6.7nF @ 25V
IngressoStandard
Termistore NTCNo
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / casoSOT-227-4, miniBLOC
Pacchetto dispositivo fornitoreISOTOP®
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