Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Singoli APL602B2G

Microsemi Corporation APL602B2G

Numero di parte
APL602B2G
fabbricante
Microsemi Corporation
Descrizione
MOSFET N-CH 600V 49A T-MAX
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.

In stock 555 pz

  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)

  • 1 pcs

    23.07366/pcs

  • 30 pcs

    24.17234/pcs
Totale:23.07366/pcsUnit Price:
23.07366/pcs		Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parteAPL602B2G
Stato parteActive
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C49A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)12V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 2.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds9000pF @ 25V
Vgs (massimo)±30V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)730W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs125 mOhm @ 24.5A, 12V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreT-MAX™ [B2]
Pacchetto / casoTO-247-3 Variant
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