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| Numero di parte | 2N6782U |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.5A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.1nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 800mW (Ta), 15W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 2.25A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 18-ULCC (9.14x7.49) |
| Pacchetto / caso | 18-BQFN Exposed Pad |
fabbricante: ON Semiconductor
Descrizione: THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92
Disponibile: 0
fabbricante: ON Semiconductor
Descrizione: THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92
Disponibile: 0
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Disponibile: 0
fabbricante: ON Semiconductor
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