Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli 2N3501UB

Microsemi Corporation 2N3501UB

Numero di parte
2N3501UB
fabbricante
Microsemi Corporation
Descrizione
TRANS NPN 150V 0.3A
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

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9.16675/pcs
Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte2N3501UB
Stato parteActive
Transistor TypeNPN
Corrente - Collector (Ic) (Max)300mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)150V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic400mV @ 15mA, 150mA
Corrente - Limite del collettore (max)10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce100 @ 150mA, 10V
Potenza - Max500mW
Frequenza - Transizione-
temperatura di esercizio-65°C ~ 200°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / caso3-SMD, No Lead
Pacchetto dispositivo fornitoreUB
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