Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - Bipolari (BJT) - RF 23A025

Microsemi Corporation 23A025

Numero di parte
23A025
fabbricante
Microsemi Corporation
Descrizione
TRANS RF BIPO 9W 1.2A 55BT2
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - Bipolari (BJT) - RF
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

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In stock 184 pz

  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)

  • 1 pcs

    70.11590/pcs

  • 50 pcs

    70.11590/pcs
Totale:70.11590/pcsUnit Price:
70.11590/pcs		Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte23A025
Stato parteActive
Transistor TypeNPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)22V
Frequenza - Transizione3.7GHz
Figura del rumore (dB Typ @ f)-
Guadagno6dB ~ 6.3dB
Potenza - Max9W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce20 @ 420mA, 5V
Corrente - Collector (Ic) (Max)1.2A
temperatura di esercizio200°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / caso55BT
Pacchetto dispositivo fornitore55BT
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