Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - Bipolari (BJT) - RF 2301

Microsemi Corporation 2301

Numero di parte
2301
fabbricante
Microsemi Corporation
Descrizione
TRANS HBT RF BIPOLAR 55BT
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - Bipolari (BJT) - RF
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.

In stock 173 pz

  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)

  • 1 pcs

    73.55490/pcs

  • 50 pcs

    73.55490/pcs
Totale:73.55490/pcsUnit Price:
73.55490/pcs		Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte2301
Stato parteActive
Transistor TypeNPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)45V
Frequenza - Transizione2.3GHz
Figura del rumore (dB Typ @ f)-
Guadagno8dB
Potenza - Max5.6W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce10 @ 100mA, 5V
Corrente - Collector (Ic) (Max)300mA
temperatura di esercizio200°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / caso55BT
Pacchetto dispositivo fornitore55BT
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